分析分子線エピタキシー装置(Molecular Beam Epitaxy : MBE) “MBE大” (D6)
超高真空真空中に備えられたK-セル(x2)や電子ビーム蒸着源(x3)により、単原子層オーダーで蒸着原子を基板に堆積することが出来ます。作製
超高真空真空中に備えられたK-セル(x2)や電子ビーム蒸着源(x3)により、単原子層オーダーで蒸着原子を基板に堆積することが出来ます。作製
小型のMBE装置です。清浄化のためのスパッタリング銃、電子ビーム蒸着源(x2)、RHEED, FTIR, アークプラズマ蒸発源が備え付けら
MBE装置です。清浄化のためのスパッタリング銃、電子ビーム蒸発源(x2)、FTIR、LEED等により表面物性評価が出来ます。モデル電極触媒
小型のMBE装置です。硫黄の分子線が制御可能なバルブドクラッカーセルが備え付けられています。Valved sulfur sour
超高真空中にアークプラズマ蒸発源(x2)が備えられており、両者のシークエンス制御により任意の基板に組成制御した合金ナノ微粒子の作製が可能で
超高真空中に備えられた走査トンネル顕微鏡(STM : Scanning Tunneling Microscope)により、固体表面構造を原