超高真空蒸着装置

K-セル(x2)や電子ビーム蒸着源(x3)により、単原子層オーダーで蒸着原子を基板に堆積することが出来ます。作製した試料の表面構造は高速反

酸素や窒素などのガスを流しながら２源のアークプラズマ蒸着源を用いてIr酸化物、Ru酸化物や異種元素ドープ酸化物などを作製できます。

３源のRFスパッタ源により熱処理下で多元合金・化合物薄膜や組成傾斜薄膜を作製することができます。

分子線エピタキシー、アークプラズマ蒸着法による薄膜作製、それらのRHEED・TPD解析に用います。

分子線エピタキシーやアークプラズマ蒸着法による薄膜作製に用います。

４限のアークプラズマ蒸発源によりハイエントロピー合金薄膜の作製などに用います。

超高真空中走査トンネル顕微鏡に、低速中性イオン銃、電子ビーム銃、LEED/AES、XPSが装備されており、薄膜試料作製、表面構造・表面化学