研究設備

酸素や窒素などのガスを流しながら２源のアークプラズマ蒸着源を用いてIr酸化物、Ru酸化物や異種元素ドープ酸化物などを作製できます。

K-セル(x2)や電子ビーム蒸着源(x3)により、単原子層オーダーで蒸着原子を基板に堆積することが出来ます。作製した試料の表面構造は高速反射電子線回折(RHEED)、低速電子線回折(LEED)により評価されます。

分子線エピタキシー、アークプラズマ蒸着法による薄膜作製、それらのRHEED・TPD解析に用います。

分子線エピタキシーやアークプラズマ蒸着法による薄膜作製に用います。

４限のアークプラズマ蒸発源によりハイエントロピー合金薄膜の作製などに用います。

超高真空中走査トンネル顕微鏡に、低速中性イオン銃、電子ビーム銃、LEED/AES、XPSが装備されており、薄膜試料作製、表面構造・表面化学状態分析が行えます。

STM, AFMによる表面構造観察に用います。

電気化学反応下におけるSTM観察ができます。

二酸化炭素電解反応の電気化学測定・気相生成物分析に用います。

超高真空中で作製したモデル電極触媒を大気暴露せずグローブボックスに搬送し、グローブボックス内の回転ディスク（RDE)などにより電極触媒特性評価に使用しています。

ヨウ素還元滴定(ヨードメトリー)を行い、溶液中に生成したオゾン量を評価するために利用しています。