分析分子線エピタキシー装置(Molecular Beam Epitaxy : MBE)　“MBE大”　(D6)

超高真空真空中に備えられたK-セル(x2)や電子ビーム蒸着源(x3)により、単原子層オーダーで蒸着原子を基板に堆積することが出来ます。
作製した試料の表面構造は高速反射電子線回折(RHEED)、低速電子線回折(LEED)により評価されます。
また、フーリエ変換赤外分光装置(FTIR)により基板表面吸着分子の高感度反射赤外（IRRAS）測定や偏光変調赤外分光（PMIR)、昇温脱離装置(TDS)脱離測定が可能です。

  • FT-IR (Bruker Optics Vertex 70)
  • RHEED-gun (Vieetech VE052)
  • RHEED Image analysis system (K-space KSA400)
  • Q-mass x2 (Spectra MONITORR; SRS RGA100)
  • LEED-AES (OCI BDL-600IR)
  • K-cell x3 (EPI)
  • Multi(x3) E-gun (Vieetech)
  • Sputter-gun (ULVAC-PHI USG3)
  • Ion-source (SPECS IQE 12/38)

装置模式図

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