分析分子線エピタキシー装置(Molecular Beam Epitaxy : MBE) “MBE大” (D6)
超高真空真空中に備えられたK-セル(x2)や電子ビーム蒸着源(x3)により、単原子層オーダーで蒸着原子を基板に堆積することが出来ます。作製した試料の表面構造は高速反射電子線回折(RHEED)、低速電子線回折(LEED)により評価されます。また、フーリエ変換赤外分光装置(FTIR)により基板表面吸着
超高真空真空中に備えられたK-セル(x2)や電子ビーム蒸着源(x3)により、単原子層オーダーで蒸着原子を基板に堆積することが出来ます。作製した試料の表面構造は高速反射電子線回折(RHEED)、低速電子線回折(LEED)により評価されます。また、フーリエ変換赤外分光装置(FTIR)により基板表面吸着
小型のMBE装置です。清浄化のためのスパッタリング銃、電子ビーム蒸着源(x2)、RHEED, FTIR, アークプラズマ蒸発源が備え付けられています。FT-IR (Bruker Optics Vertex 70)RHEED-gun (Vieetech VE052)RHEE
MBE装置です。清浄化のためのスパッタリング銃、電子ビーム蒸発源(x2)、FTIR、LEED等により表面物性評価が出来ます。モデル電極触媒の作製にも使用します。FT-IR (Bomen MB100)LEED (OCI BDL-400IR)Evaporation sourc
小型のMBE装置です。硫黄の分子線が制御可能なバルブドクラッカーセルが備え付けられています。Valved sulfur source (Dr. Eberl MBE-Komponenten GmbH)装置模式図
超高真空中にアークプラズマ蒸発源(x2)が備えられており、両者のシークエンス制御により任意の基板に組成制御した合金ナノ微粒子の作製が可能です。Arc-plasma gun x2 (ULVAC ARL300)装置模式図
超高真空中に備えられた走査トンネル顕微鏡(STM : Scanning Tunneling Microscope)により、固体表面構造を原子レベルで観察できます。分析室には低速化・中性化機能を備えたイオン銃、電子ビーム銃(x2)、LEED/AES、X線光電子分光（X-ray Photoelectr
走査トンネル顕微鏡(STM), 原子間力顕微鏡(AFM)の両方の測定が可能で、試料や用途に応じて両者を使い分けています。除振にアクティブ除振台を用いています。Bruker Nano MultiMode + halcyonic nano20
電解液中、電位印加時の表面観察、すなわち電気化学環境におけるSTMです。電位変動下におけるナノ微粒子の形態観察などに用います。Bruker Nano MultiMode + Bruker ECM-3
カーボン基板上に堆積した金属・合金ナノ微粒子の観察に用います。Nanosurf : NaioSTM
電解還元反応生成物分析に利用しています。Shimazu GC-2014 + Toho Technical Research PS-14 Detector:TCD & FID
超高真空中で作製したモデル電極触媒を大気暴露せずグローブボックスに搬送し、グローブボックス内の回転ディスク（RDE)などにより構造制御された最表面構造の電気化学特性、電極触媒特性評価に使用しています。UNICO + Hokuto HZ-5000,HR301装置模式図
ヨウ素還元滴定(ヨードメトリー)を行い、溶液中に生成したオゾン量を評価するために利用しています。KEM AT-710BA