超高真空真空中に備えられたK-セル(x2)や電子ビーム蒸着源(x3)により、単原子層オーダーで蒸着原子を基板に堆積することが出来ます。
作製した試料の表面構造は高速反射電子線回折(RHEED)、低速電子線回折(LEED)により評価されます。
また、フーリエ変換赤外分光装置(FTIR)により基板表面吸着分子の高感度反射赤外(IRRAS)測定や偏光変調赤外分光(PMIR)、昇温脱離装置(TDS)脱離測定が可能です。
- FT-IR (Bruker Optics Vertex 70)
- RHEED-gun (Vieetech VE052)
- RHEED Image analysis system (K-space KSA400)
- Q-mass x2 (Spectra MONITORR; SRS RGA100)
- LEED-AES (OCI BDL-600IR)
- K-cell x3 (EPI)
- Multi(x3) E-gun (Vieetech)
- Sputter-gun (ULVAC-PHI USG3)
- Ion-source (SPECS IQE 12/38)