超高真空分子線エピタキシー装置

K-セル(x2)や電子ビーム蒸着源(x3)により、単原子層オーダーで蒸着原子を基板に堆積することが出来ます。
作製した試料の表面構造は高速反射電子線回折(RHEED)、低速電子線回折(LEED)により評価されます。

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